GaN（氮化镓）基半导体紫外探测器件
GaN（氮化镓）基半导体紫外探测器件
公司名称及发明人姓名：中蕊（武汉）光电科技有限公司
项目概述：
随着科技的发展，半导体材料也在进行着技术升级，从初代的Si（硅）基半导体材料，到第二代以GaAs（砷化镓）为代表的半导体材料，到国际上引起广泛关注的以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料，半导体元器件从性能到应用领域上都得到了长足的发展。与传统半导体材料相比，GaN在材料性能上有着显著的提高，其独有的材料特性，引领了若干新的应用领域发展。例如在军工领域，GaN材料的高频特性使其成为了紫外光电和高频微波的最佳半导体材料，相较于传统光电探测器而言，GaN基紫外探测器在抗干扰、抗恶劣环境、高灵敏度方面具有得天独厚的优势，在侦测大气层内的高速飞行器、导弹、核辐射、高能火焰等主动防护领域，均能看到GaN基紫外探测器的身影。随着GaN半导体器件的应用深入，未来市场前景极为广阔。然而，目前国内主流的GaN半导体水平，只是停留在研究阶段。
本项目积极响应“军民深度融合发展”号召，将自身技术储备全面投入到半导体紫外探测器件领域，攻克了GaN（氮化镓）基半导体紫外探测器件制备的技术难关，打造了完全自主的垂直产业链，成为国内第一家具备GaN（氮化镓）基半导体紫外探测器件量产能力的专业化企业。公司自主研发的军用氮化镓AlGaN基紫外半导体探测器、GaN HEMT器件填补了国内空白，技术指标达到国际同行业领先水平，突破了国际对华技术、产品禁运封锁，对我国国防事业的建设具有深远而重要的现实意义。
知识产权：目前已提交6项专利申请，均已收到专利申请受理书。
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